Undefined error: Function ereg() is deprecated в файле /home/n/npictt/public_html/hostcmsfiles/lib/lib_1/lib_config_1.php (строка 42) Публикации - Экспертное мнение о перспективах снижения стоимости RFID чипов за счет применения нано технологий.

Экспертное мнение о перспективах снижения стоимости RFID чипов за счет применения нано технологий.

И.Бояренко
Директор по бизнесу и развитию российского отделения компании NXP

Принято считать, что за счет снижения размеров технологических проектных норм при производстве достигается повышение быстродействия и снижение стоимости чипа. Такое утверждение  справедливо для кристаллов предельной степени интеграции, например, микропроцессоров и ОЗУ, что касается RFID технологии, то картина не так однозначна. Если рассмотреть две основные характеристики RFID чипов, быстродействие и стоимость, то можно увидеть следующее:
•    Скорость функционирования кристаллов RFID задана стандартами и обеспечивается достигнутым ранее уровнем технологии.
•    Уменьшение размеров элемента до нано уровня не приводит к уменьшению его стоимости.
Снижения стоимости данного класса чипов при уменьшении размеров элемента не достигается по следующей причине. С ужесточением технологических проектных норм стоимость кремниевой пластины с готовыми чипами растет. Снижение стоимости чипа может быть достигнуто за счет уменьшения площади чипа и, соответственно, увеличения их количества на пластине. Но для чипов сравнительно невысокой интеграции, какими являются RFID чипы, снижения площади при нормах 100 и менее нм практически не происходит, так как основную площадь занимает не активная зона, а зона контактирования. При этом стоимость чипа может даже расти.
RFID чипы последних поколений компании NXP, как HF, так и UHF, выполнены по проектным нормам 140 нм. Дальнейшее снижение в настоящее время является бессмысленным.
О критериях отнесения технологии к категории «нано». Тем, кто признает нанотехнологией только то, что меньше 100 нм, можно напомнить, что в кристаллах давно достигнутых технологических уровней микроэлектроники толщина подзатворных диэлектриков составляет десятки и даже единицы нанометров.

07.03.2012, 3028 просмотров.